緩解ETI減損元件壽命　線性MOSFET負載有保障

2022 年 05 月 23 日
功率金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)的輸出特性可分為三個不同的區域，即歐姆區、非線性區以及飽和或稱主動區(圖1)。在歐姆區中，對於給定柵源電壓VGS，漏極電流ID與漏源電壓VDS成正比。MOSFET在這種工作模式下充當電阻器，數值等於其導通電阻RDS(ON)。在非線性區，MOSFET的電阻呈現非線性行為，ID隨著VDS而增加的速度減慢。而在主動區，MOSFET溝道由於有多數電荷載流子而飽和。在該區域中，ID獨立於VDS。ID僅由VGS控制，並且對於任何給定VDS保持恆定。...
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